理論値とはいえ高い性能が期待できるGaNだが、現在のGaNパワーデバイス向けに主に活用されている「GaN on Si」ではそこまで性能を向上させることができないでいる。GaN on SiはSi基板の上にバッファ層を活用してGaNを形成することになるが、このバッファ層が ...
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エネルギー効率の高いGaNベースのパワーデバイスを開発し、環境に優しいエレクトロニクスを実現するファブレスのクリーンテック半導体企業であるCambridge GaN Devices(CGD)はコネクティビティ・ソリューションと電源ソリューションの業界をリードする世界 ...