東芝デバイス&ストレージは、車載ブラシ付きDCモーターを制御するブリッジ回路向けゲートドライバー「TB9104FTG」のエンジニアリングサンプル提供を開始したと発表した。

「ゲートドライバ」に関する情報が集まったページです。 MOSFET、IGBTならびにSiC（炭化ケイ素）トランジスタは高電力／高電圧アプリケーションでよく使用されるが、これらのゲートははるかに低い電圧で駆動されている。ゲート入力電圧の範囲が異なる ...

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、シリコン・ベースのハーフブリッジ･ゲート・ドライバと、2つのGaN（窒化ガリウム）パワー・トラジスタを集積した世界初のシステム・イン・パッケージ（SiP）「MasterGaN®」に、非対称型トポロジ向けの ...

シリコン・ラボ、絶縁型ゲート・ドライバのポートフォリオを強化する新製品「Si823Hx/825xx」を発表 過渡耐性の大幅な向上 ...

これらの600Vゲートドライバは、600mA～4.5Aの駆動電流に対応し、高速スイッチングと高効率動作を実現すると同社では説明しているほか、3.3Vロジックに対応しているため、マイコンとシームレスに統合することができるともする。

ローム株式会社（本社:京都市）は、超高速でGaNデバイスを駆動するゲートドライバIC「BD2311NVX-LB( https://www.rohm.co.jp/products ...

STMicroelectronicsは、さまざまな電力定格のインバータを柔軟に制御でき、ISO 26262 ASIL Dへの認定を可能にする、設定可能な保護機能と豊富な診断機能を備えたSiC MOSFETおよびIGBT向けの車載用ガルバニック絶縁型ゲートドライバ「STGAP4S」を発表した。 同製品は、A ...

ルネサス エレクトロニクスは1月25日、xEV（電動車）向けにゲートドライバICの新製品「RAJ2930004AGM」を開発したと発表した。同社が開発したゲートドライバICは、バッテリEVをはじめとするxEVのインバータに搭載するIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ ...

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、プログラミングや診断用のSPIポートと、チャージ・ポンプ回路、保護機能、およびシステム・モニタ用の電流センス・アンプ（2個）を備えた車載用ゲート・ドライバIC「L99H92」を発表しました。 L99H92は ...

米国リテルヒューズの日本法人リテルヒューズジャパンは、高電圧アプリケーション向けのシングルチャネル・ガルバニック絶縁型ゲートドライバ「IX3407Bシリーズ」を発売すると発表した。 新製品は2.5kVrms容量性絶縁技術を統合することで、堅牢な信号品質 ...