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超低電圧でもデータを保持できるSRAM技術、東京科学大学が開発

東京科学大学の研究チームは10月31日、0.2V程度の超低電圧でデータを保持できる新たなCMOSメモリ技術を開発したと発表した。この技術を活用すれば、SRAMの待機電力を不揮発性メモリ並みに削減できるとしている。